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2N873

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    2N873

    2N873

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • MOT

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 09+

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  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 2N873
    2N873

    2N873

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 8000

  • AD534CH

  • AD741JH

  • 21+

  • -

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2N873 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）（155°C） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 16A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Tc）（155°C） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 15A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）（158°C） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 8A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）（165°C） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 7A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管，常閉 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）（165°C） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 225°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES
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