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2N929

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N929
    2N929

    2N929

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 2N929
    2N929

    2N929

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • DSI

  • 07/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N929
    2N929

    2N929

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TH

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

  • 2N929
    2N929

    2N929

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會大廈A座19樓19G

  • 8566

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -
  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
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  • 制造商
  • SEME-LAB
  • 制造商全稱
  • Seme LAB
  • 功能描述
  • Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
2N929 技術(shù)參數(shù)
  • 2N918UB 功能描述:TRANS NPN 15V 0.05A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 3mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N918 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N915 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 16A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-276 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:結(jié)式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 15A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-257 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA 2P02-0200-ES 2P02-0300-DA
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