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2N979

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

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2N979 技術(shù)參數(shù)
  • 2N930UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N930A 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N930 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):2nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10μA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18(TO-206AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N918UB 功能描述:TRANS NPN 15V 0.05A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 3mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N918 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA 2P02-0200-ES 2P02-0300-DA 2P1216 2P1298 2P1384
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