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2SA1587BLTE85R

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  • 2SA1587BLTE85R
    2SA1587BLTE85R

    2SA1587BLTE85R

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話(huà):0755-82552857-80913528851884(周日專(zhuān)線(xiàn))

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6500

  • TOSHIBA

  • 原廠(chǎng)原裝

  • 1650+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷(xiāo)庫(kù)存

  • 2SA1587BLTE85R
    2SA1587BLTE85R

    2SA1587BLTE85R

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!!

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2SA1587BLTE85R 技術(shù)參數(shù)
  • 2SA1587-BL,LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):350 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1586-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1586SU-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無(wú)貨 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1586SU-GR,LF(D 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SA1586SU-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1619ARA 2SA1619ASA 2SA1667 2SA1668 2SA1669-TB-E 2SA1673 2SA16740SA 2SA1680(F,M) 2SA1680(T6DNSO,F,M 2SA1680,F(J 2SA1680,T6ASTIF(J 2SA1680,T6F(J 2SA1680,T6SCMDF(J 2SA1693 2SA1694 2SA1695 2SA1705S-AN
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