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2SA1986-R

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  • 2SA1986-R
    2SA1986-R

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 92845

  • TOSHIBA

  • OEM渠道,價格超越代理!

  • NA

  • -
  • 2SA1986-R
    2SA1986-R

    2SA1986-R

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • TOSHIBA

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝正品,優(yōu)勢供應

  • 2SA1986-R
    2SA1986-R

    2SA1986-R

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 2SA1986-R(Q)
    2SA1986-R(Q)

    2SA1986-R(Q)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 50

  • TOSHIBA

  • 2010

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
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2SA1986-R 技術參數
  • 2SA1978-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L
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