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2SB1151/2SB986

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  • 2SB1151/2SB986
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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 13544

  • TO-126

  • 2024+

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  • 2SB1151/2SB986
    2SB1151/2SB986

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • SANYO

  • TO-126

  • 09+

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  • 2SB1151/2SB986
    2SB1151/2SB986

    2SB1151/2SB986

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

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2SB1151/2SB986 技術(shù)參數(shù)
  • 2SB1143T 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-126ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2SB1143S 功能描述:TRANS PNP 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-126ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2SB1132T100R 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1132T100Q 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1132T100P 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SB1184TLQ 2SB1184TLR 2SB1186AE 2SB1188T100P 2SB1188T100Q 2SB1188T100R 2SB1189T100Q 2SB1189T100R 2SB1197KT146Q 2SB1197KT146R 2SB1198KT146Q 2SB1198KT146R 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E
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