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2SB1182TLQ-ND

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  • 2SB1182TLQ-ND
    2SB1182TLQ-ND

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SANYO

  • NULL

  • 2011

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SB1182TLQ-ND
    2SB1182TLQ-ND

    2SB1182TLQ-ND

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SANYO

  • QFP

  • 13+

  • -

  • 全新原裝，現(xiàn)貨，價(jià)優(yōu)！

  • 2SB1182TLQ-ND
    2SB1182TLQ-ND

    2SB1182TLQ-ND

  • 深圳市源運(yùn)電子商行
    深圳市源運(yùn)電子商行

    聯(lián)系人：林先生

    電話：15913992480

    地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 1166

  • SANYO

  • TO-

  • 16+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

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2SB1182TLQ-ND 技術(shù)參數(shù)
  • 2SB1182TLQ 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1181TLR 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1181TLQ 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SB1181TLP 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SB11560P 功能描述:TRANS PNP 80V 20A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 2A，20A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 3A，2V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應(yīng)商器件封裝:TOP-3F-A1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2SB1189T100Q 2SB1189T100R 2SB1197KT146Q 2SB1197KT146R 2SB1198KT146Q 2SB1198KT146R 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E 2SB1202T-E 2SB1202T-TL-E 2SB1203S-E 2SB1203S-H 2SB1203S-H-TL-E 2SB1203S-TL-E
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