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2SC3361-5-TB

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  • 2SC3361-5-TB-E
    2SC3361-5-TB-E

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • SANYO

  • SOT-23

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  • 2SC3361-5-TB
    2SC3361-5-TB

    2SC3361-5-TB

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT23

  • 最新批號

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  • 2SC3361-5-TB-E
    2SC3361-5-TB-E

    2SC3361-5-TB-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • SANYO

  • SOT-23

  • 06+pb

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 2SC3361-5-TB-E
    2SC3361-5-TB-E

    2SC3361-5-TB-E

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人:田小姐/高先生/李小姐

    電話:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D(地王大廈周邊)

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • SANYO

  • SOT-23

  • 15+

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  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質★提供PCB板配單業(yè)務

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2SC3361-5-TB 技術參數(shù)
  • 2SC3357-T1-RF-A 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 2SC3357-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3357-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E
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