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2SC3646S-P-TD-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 2SC3646S-P-TD-E
    2SC3646S-P-TD-E

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 2SC3646S-P-TD-E
    2SC3646S-P-TD-E

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 3200

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 1308+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨庫存!400-800-030...

  • 2SC3646S-P-TD-E
    2SC3646S-P-TD-E

    2SC3646S-P-TD-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 201321

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

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  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SC3646S-P-TD-E 技術參數(shù)
  • 2SC3624-T1B-A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:3,000 2SC3611 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A TO-126 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:4W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126B-A1 標準包裝:1,000 2SC3601E 功能描述:TRANS NPN 200V 0.15A TO126-3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):200V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:200 2SC3585-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 2GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 2SC3585-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC3649T-TD-E 2SC3649T-TD-H 2SC3665-Y(T2NSW,FM 2SC3665-Y,T2F(J 2SC3665-Y,T2NSF(J 2SC3665-Y,T2YNSF(J 2SC3668-O,T2CLAF(J 2SC3668-Y,F2PANF(J 2SC3668-Y,T2F(J 2SC3668-Y,T2F(M 2SC3668-Y,T2WNLF(J 2SC3669-Y(T2OMI,FM 2SC3669-Y,T2PASF(M 2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC370400L 2SC370700L 2SC3743 2SC37570RL
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