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2SD1760-TL-Q

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    2SD1760-TL-Q

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • ROHM

  • TO-251

  • 18+

  • -
  • 長(zhǎng)期供應(yīng)

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  • 1
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2SD1760-TL-Q 技術(shù)參數(shù)
  • 2SD1760TLQ 功能描述:TRANS NPN 50V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:90MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD1760TLP 功能描述:TRANS NPN 50V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:90MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SD1759TL 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1.2mA,600mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SD1758TLR 功能描述:TRANS NPN 32V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD1758TLQ 功能描述:TRANS NPN 32V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD1773 2SD1781KT146Q 2SD1781KT146R 2SD1782KT146Q 2SD1782KT146R 2SD1785 2SD1796 2SD1801S-E 2SD1801S-TL-E 2SD1801T-E 2SD1801T-TL-E 2SD1802S-E 2SD1802S-TL-E 2SD1802T-E 2SD1802T-TL-E 2SD1803S-E 2SD1803S-H 2SD1803S-TL-E
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