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2SJ127G

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話(huà):19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

  • 13+

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  • 2SJ127G
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話(huà):19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6550

  • ON

  • TO-252

  • 201311+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存!400-800-03...

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2SJ127G 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ0674G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ067400L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 20V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:U-G2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ0536G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 歐姆 @ 10mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ053600L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 歐姆 @ 10mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438(AISIN,Q,M) 2SJ438(CANO,A,Q) 2SJ438(CANO,Q,M) 2SJ438,MDKQ(J 2SJ438,MDKQ(M 2SJ438,Q(J 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E
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