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2SJ367

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 2SJ367
    2SJ367

    2SJ367

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SHI

  • TO-252

  • 07+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品，質(zhì)量保障

  • 2SJ367
    2SJ367

    2SJ367

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10340

  • SIH

  • TO-251/252

  • 2024+

  • -

  • 代理商庫(kù)房現(xiàn)貨

  • 2SJ367
    2SJ367

    2SJ367

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話：0755-83254770

    地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • TOSHIBA

  • SOT-252

  • 18+

  • -

  • 長(zhǎng)期供應(yīng)

  • 2SJ367
    2SJ367

    2SJ367

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • T

  • TO-

  • 2015+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共14條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220VAR
2SJ367 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ360(TE12L,F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SJ360(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SJ305TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4歐姆 @ 50mA，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:92pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ304(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SJ168TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2歐姆 @ 50mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:85pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438,Q(M 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E
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