2SJ632TD-E

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2SJ632TD-E 技術(shù)參數(shù)

2SJ610(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.55 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:381pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2SJ438,Q(M 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438,Q(J 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438,MDKQ(M 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ438,MDKQ(J 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L