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2SK066400L

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 2SK066400L
    2SK066400L

    2SK066400L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • RENESAS

  • SOT323

  • 最新批號(hào)

  • -

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3
  • RoHS
  • 是
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
2SK066400L 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK0663GRL 功能描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-F2 功率 - 最大值:150mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK06630RL 功能描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK06620RL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:100mV @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK0615 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應(yīng)商器件封裝:M-A1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK0601G0L 功能描述:MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:45pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:迷你型P3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F)
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