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2SK1335L

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  • 2SK1335L
    2SK1335L

    2SK1335L

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • N/A

  • NULL

  • 07/08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SK1335L
    2SK1335L

    2SK1335L

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • RENESAS/瑞薩

  • TO-251

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • 2SK1335L
    2SK1335L

    2SK1335L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • RENESAS

  • TO-251

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 2SK1335L
    2SK1335L

    2SK1335L

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • T

  • TO

  • 2015+

  • -

  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
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  • 制造商
  • HITACHI
  • 制造商全稱
  • Hitachi Semiconductor
  • 功能描述
  • Silicon N-Channel MOS FET
2SK1335L 技術參數
  • 2SK1317-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 2A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:990pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK122800L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 標準包裝:1 2SK1119(F) 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2SK11030QL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:600μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:300 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 標準包裝:1 2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:160V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F
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