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2SK1691-DL-E

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  • 2SK1691-DL-E
    2SK1691-DL-E

    2SK1691-DL-E

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 59632

  • ON Semiconductor

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

  • 2SK1691-DL-E
    2SK1691-DL-E

    2SK1691-DL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • TO-263

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理,原裝特價現(xiàn)貨！

  • 2SK1691-DL-E
    2SK1691-DL-E

    2SK1691-DL-E

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • SANYO

  • TO-263

  • 06+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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  • 制造商
  • SANYO
  • 功能描述
  • Nch 450V 5A 1.4 rlo?ec Tape & Reel
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • MOSFETN CH450V5ASOT404
  • 制造商
  • Sanyo
  • 功能描述
  • 0
2SK1691-DL-E 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK1518-E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3050pF @ 10V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1374G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-F2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK137400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-G1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1342-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK1341-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:980pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q)
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