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2SK2315TYTR-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SK2315TYTR-E
    2SK2315TYTR-E

    2SK2315TYTR-E

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NEC

  • SOT89

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 2SK2315TYTR-E
    2SK2315TYTR-E

    2SK2315TYTR-E

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • RENESAS/瑞薩

  • SOT-89

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • 2SK2315TYTR-E
    2SK2315TYTR-E

    2SK2315TYTR-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • SOT89

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝特價現貨！

  • 2SK2315TYTR-E
    2SK2315TYTR-E

    2SK2315TYTR-E

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 267

  • NEC

  • SOT89

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
2SK2315TYTR-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
2SK2315TYTR-E 技術參數
  • 2SK2299N 功能描述:MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FN 標準包裝:500 2SK2266(TE24R,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:1,000 2SK2231(TE16R1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SK2231(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SK2225-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 1A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:984.7pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3PFM，SC-93-3 供應商器件封裝:TO-3PFM 標準包裝:1 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848
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