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2SK2337

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
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  • 2SK2337-T1
    2SK2337-T1

    2SK2337-T1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NEC

  • 08+/pb

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SK2337-T1
    2SK2337-T1

    2SK2337-T1

  • 深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話(huà)：0755-88608801多線(xiàn)17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9800

  • SOP-8

  • 18+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝現(xiàn)貨

  • 2SK2337
    2SK2337

    2SK2337

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴(lài)先生

    電話(huà)：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 17895

  • SILICONIX

  • SOP08

  • 2024+

  • -

  • 頂級(jí)代理商原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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2SK2337 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2315TYTR-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:173pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:UPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2299N 功能描述:MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:870pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK2266(TE24R,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2231(TE16R1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2231(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848
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