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2SK2698(F)

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  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TOSHIBA

  •  

  • 09+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SK2698(F)
    2SK2698(F)

    2SK2698(F)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10423

  • TOSHIBA

  • SMTDIP

  • 2024+

  • -
  • 絕對裝原現(xiàn)貨

  • 2SK2698(F)
    2SK2698(F)

    2SK2698(F)

  • 深圳市大源實業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場C座707室

  • 12000

  • TOSHIBA(非存儲器)

  • 晶體管

  • 22+

  • -
  • 原裝,公司部分現(xiàn)貨,有單來談QQ:161...

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET N TO-3P
2SK2698(F) 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.8 歐姆 @ 1.3A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI(LS) 標準包裝:100 2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 歐姆 @ 2.5A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI(LS) 標準包裝:100 2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 歐姆 @ 1.8A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI(LS) 標準包裝:100 2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):55V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):55V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:1 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M
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