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2SK302-GR(TE85L,F)

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • TRANS MOSFET N-CH - Tape and Reel
2SK302-GR(TE85L,F) 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK302500L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 10V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:U-G2 供應(yīng)商器件封裝:U-DL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK302200L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:220pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:U-G2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3019TL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:EMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3018-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318
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