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2SK3355-Z-AZ

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  • 制造商
  • Renesas Electronics
  • 功能描述
  • Nch 60V 83A 5.8m@10V TO220SMD
  • 制造商
  • Renesas Electronics
  • 功能描述
  • Nch 60V 83A 5.8m@10V TO220SMD Bulk
2SK3355-Z-AZ 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3342(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2SK3320-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應(yīng)商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3320-GR(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):2.6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應(yīng)商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3320-BL(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應(yīng)商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3318 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):460 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3500pF @ 20V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應(yīng)商器件封裝:TOP-3F-A1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L
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