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2SK370-GR

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  • 2SK370-GR
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • 東芝

  • TO-92S

  • 2011

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 2SK370-GR
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    2SK370-GR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • 東芝

  • TO-92S

  • 2011

  • -
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  • 1
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2SK370-GR 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3709 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):37A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3708 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):73nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3707-1E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2150pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F-3SG 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3707 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2150pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3704 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3500pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220ML 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3747 2SK3747-1E 2SK3747-MG8 2SK3748 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ 2SK3796-2-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-4-TL-E 2SK3800 2SK3800VL 2SK3800VR 2SK3801 2SK3811-ZP-E1-AY 2SK3813-AZ 2SK3816-DL-1E 2SK3816-DL-E
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