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2SK3813-Z-AZ

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  • 2SK3813-Z-AZ
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    2SK3813-Z-AZ

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937909

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 356

  • NEC

  • 2014+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨庫存,絕對原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
2SK3813-Z-AZ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 40V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Cut Tape
2SK3813-Z-AZ 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3813-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.3 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5500pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-251(MP-3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3811-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 55A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3801 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3800VR 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3800VL 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-220S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E
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