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2SK4150

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  • 2SK4150
    2SK4150

    2SK4150

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4750

  • HIT

  • TO-92

  • 04+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 2SK4150
    2SK4150

    2SK4150

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • HITACHI

  • TO92

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 2SK4150
    2SK4150

    2SK4150

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話(huà)：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 950

  • HIT

  • TO-92

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • RENESAS
  • 制造商全稱(chēng)
  • Renesas Technology Corp
  • 功能描述
  • Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK4150 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4125-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:610 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SK4125 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:610 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4124-1E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SK4124 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4197FS 2SK4197LS 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V
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