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2SK4227JS

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO-220ML(LS)

  • SANYO

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 2SK4227JS
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO正品

  • TO-220F

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 2SK4227JS
    2SK4227JS

    2SK4227JS

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 59990

  • SANYO/三洋

  • TO-220F

  • 17+

  • -

  • 100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

  • 2SK4227JS
    2SK4227JS

    2SK4227JS

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • SANYO/三洋

  • TO-220F

  • 15+

  • -

  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全稱
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • General-Purpose Switching Device Applications
2SK4227JS 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4222 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4221 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4210 功能描述:MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4209 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.08 歐姆 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4198LS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.34 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:360pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M
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