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2SK436-20

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SK436-20
    2SK436-20

    2SK436-20

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話：0755-83254770

    地址：深南中路3006號佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 18700

  • SANYO

  • SOT-23

  • 18+

  • -

  • 專注品牌長期供應(yīng)

  • 2SK436-20-TA
    2SK436-20-TA

    2SK436-20-TA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠

  • SOT23

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 2SK436-20-TB-E
    2SK436-20-TB-E

    2SK436-20-TB-E

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 78000

  • SANYO

  • SOT23

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共32條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 3.5MA I(DSS) | SOT-23
2SK436-20 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4222 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4221 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:26A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4210 功能描述:MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4209 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.08 歐姆 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4198LS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.34 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:360pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M
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