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2SK609SL

配單專家企業(yè)名單
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  • 2SK609SL//NE71084S
    2SK609SL//NE71084S

    2SK609SL//NE71084S

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MEC

  • 94+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SK609SL//NE71084SL
    2SK609SL//NE71084SL

    2SK609SL//NE71084SL

  • 深圳市榮澤信電子科技有限公司
    深圳市榮澤信電子科技有限公司

    聯(lián)系人：榮澤信－晏S

    電話：18028731859

    地址：華富村東區(qū)417室

  • 10000

  • NEC

  • 15+

  • -

  • 絕對(duì)全新原裝正品現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 2SK609SL
    2SK609SL

    2SK609SL

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 170

  • NEC

  • NA

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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2SK609SL 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:210μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:150μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:100μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:60μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1.7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK536-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 10mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI
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