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2SK654-Z-E1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 2SK654-Z-E1
    2SK654-Z-E1

    2SK654-Z-E1

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • N

  • SOT252

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • 2SK654-Z-E1
    2SK654-Z-E1

    2SK654-Z-E1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TO-252

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 2SK654-Z-E1
    2SK654-Z-E1

    2SK654-Z-E1

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 12000

  • NEC

  • SOT252

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品

  • 2SK654-Z-E1
    2SK654-Z-E1

    2SK654-Z-E1

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 12000

  • NEC

  • SOT252

  • 12+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共24條 
  • 1
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2SK654-Z-E1 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:210μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:150μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:100μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:60μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1.7pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK536-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 10mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI
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