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2SK680A-T1-A

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  • 2SK680A-T1-AZ
    2SK680A-T1-AZ

    2SK680A-T1-AZ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • NEC

  • SOT-89

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨?。?！

  • 2SK680A-T1-AZ
    2SK680A-T1-AZ

    2SK680A-T1-AZ

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 6170

  • RENESAS

  • SOT-89

  • 13+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

  • 2SK680A-T1-AZ
    2SK680A-T1-AZ

    2SK680A-T1-AZ

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NEC

  • 原廠原封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • 2SK680A-T1-AZ
    2SK680A-T1-AZ

    2SK680A-T1-AZ

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • NEC

  • SOT-89

  • 15+

  • -

  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
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2SK680A-T1-A 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK669-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 10mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:210μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:150μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:60μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1.7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01
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