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2SKF131AEL01

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 2SKF131AEL01
    2SKF131AEL01

    2SKF131AEL01

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ALCOSWITCH

  • NULL

  • NULL

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SKF131AEL01
    2SKF131AEL01

    2SKF131AEL01

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8667

  • TE Connectivity

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權(quán)分銷商,可追溯原廠可含稅

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共18條 
  • 1
2SKF131AEL01 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 鍵鎖開關(guān) SPST OFF-ON POS 1 KEYLOCK SWITCH
  • RoHS
  • 制造商
  • C&K Components
  • 觸點(diǎn)形式
  • 1 Form A (SPST-NO)
  • 開關(guān)功能
  • Momentary
  • 觸點(diǎn)額定值
  • 電流額定值
  • 100 mA
  • 電壓額定值 AC
  • 250 VAC
  • 端接類型
  • Through Hole
  • 鍵類型
  • Keyswitch
  • 變址
  • 位置數(shù)量
  • 1
  • 外殼材料
2SKF131AEL01 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK932-24-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):14.5mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK932-23-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK932-22-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):7.3mA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):200mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):1.5V @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880GRTE85LF 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):2.6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):1.5V @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17 2SP0115T2C0-06 2SP0115T2C0-12 2SP0115T2C0-17 2SP0320T2A0-12
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