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3LN01STLE

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  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6500

  • SANYO

  • 原廠原裝

  • 1728+

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  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • 3LN01STLE
    3LN01STLE

    3LN01STLE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • sanyo

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3LN01STLE 技術參數(shù)
  • 3LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 80mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:8,000 3LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 80mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-81 供應商器件封裝:SC-81(SSFP) 標準包裝:1 3LN01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 3LN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150MA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 80mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 / MCPH3 標準包裝:1 3LN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.15A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 歐姆 @ 80mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 / MCPH3 標準包裝:1 3LP01S-TL-E 3M 1046 0.5" X 60YDS 3M 1093 1/2" X 36YD 3M 1093 3/4" X 36YD 3M 1120 0.5"SQ-250 3M 1120 0.75"SQ-250 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100
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