3LP01SS-TLB

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3LP01SS-TLB
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
TDK
SOTss
最新批號(hào)
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代理此型號(hào).原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

3LP01SS-TLB
深圳市桂鵬科技有限公司
深圳市桂鵬科技有限公司
聯(lián)系人：田小姐/高先生/李小姐
電話：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國(guó)都大廈-國(guó)麗15D（地王大廈周邊）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
82810298
TDK
SMD
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深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

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3LP01SS-TLB 技術(shù)參數(shù)

3LP01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 3LP01M-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 3LP01M-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:3-MCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 3LP01C-TB-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 3LP01C-TB-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.4 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250 3M 1120 CIRCLE-0.75"-250 3M 1120 CIRCLE-1"-250 3M 1120 CIRCLE-1.5"-100 3M 1120 CIRCLE-2"-100 3M 1125 0.5"SQ-250