3N1PEHH9000

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3N1PEHH9000 技術(shù)參數(shù)

3N164 功能描述:MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 歐姆 @ 100μA，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 3N163-E3 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 歐姆 @ 100μA，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 3N163-2 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 歐姆 @ 100μA，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 3N163 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 歐姆 @ 100μA，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3.5pF @ 15V 功率 - 最大值:375mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 3N104-D000-S08 BF 功能描述:4 Position Circular Connector Plug, Male Pins Solder Cup Gold 制造商:3m 系列:3N1 包裝:散裝零件狀態(tài):有效連接器類型:插頭，公引腳針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛端接:焊杯緊固類型:有螺紋朝向:D 侵入防護(hù):IP68 - 防塵，防水外殼材料，鍍層:熱塑塑膠觸頭鍍層:金特性:后殼觸頭鍍層厚度:8μin（0.20μm）額定電流:4A 電壓 - 額定:250VDC 工作溫度:-25°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 3N246-E4/72 3N246-M4/51 3N247 3N247-E4/45 3N247-E4/51 3N247-E4/72 3N247-M4/51 3N248 3N248-E4/45 3N248-E4/51 3N248-E4/72 3N248-M4/51 3N249 3N249-E4/45 3N249-E4/51 3N249-E4/72 3N249-M4/51 3N250