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5LP02C-TB

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人:田小姐/高先生/李小姐

    電話:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D(地王大廈周邊)

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • SANYO

  • SOT-23

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5LP02C-TB 技術參數
  • 5LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 5LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 5LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 5LP01SP-AC 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:2,500 5LP01SP 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:500 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3 5M1210BCT 5M1210BCT-2 5M1210BCT-3 5M1220B 5M1220B-2 5M1220B-3 5M1220BCT
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