5LP02C-TL-E

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

5LP02C-TL-E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
72540
SANYO
CP
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

5LP02C-TL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
SANYO
CP
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨！

5LP02C-TL-E
深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
聯(lián)系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

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5LP02C-TL-E 技術(shù)參數(shù)

5LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 5LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 5LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 5LP01SP-AC 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 5LP01SP 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 歐姆 @ 40mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3 5M1210BCT 5M1210BCT-2 5M1210BCT-3 5M1220B 5M1220B-2 5M1220B-3 5M1220BCT