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ALD114804SCL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • ALD114804SCL
    ALD114804SCL

    ALD114804SCL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • -
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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD114804SCL 技術(shù)參數(shù)
  • ALD114804PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):360mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD114804ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):380mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD114804APCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):380mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD112 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:16.7mA 線圈電壓:12VDC 觸頭外形:SPST-NO(1 A 型) 額定接觸(電流):3A 開關(guān)電壓:277VAC,30VDC - 最大 導(dǎo)通電壓(最大值):9 VDC 關(guān)閉電壓(最小值):0.6 VDC 工作時間:10ms 釋放時間:10ms 特性:- 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 觸頭材料:銀鎳(AgNi) 線圈功率:200 mW 線圈電阻:720 歐姆 工作溫度:-40°C ~ 70°C 標準包裝:50 ALD111933SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L ALD12A48N-L ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L
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