AO8400

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AO8400
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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AO8400 技術(shù)參數(shù)

AO7801 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO7800 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 900mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO7600_001 功能描述:MOSFET N/P-CH SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 900mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6（SOT-363）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO7600 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:900mA，600mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 900mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO7417 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.9A SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:745pF @ 10V 功率 - 最大值:570mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO8808A AO8810 AO8810#A AO8814 AO8814#A AO8818 AO8820 AO8822 AO8822#A AO8830 AO9926B AO9926BL AO9926BL_101 AO9926C AO-AGSM-OM54 AOB10B60D AOB10B65M1 AOB10N60L