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AON6422L

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • AOS/萬代

  • DFN

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  • AON6422L
    AON6422L

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • AOS

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AON6422L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AON6422L 技術(shù)參數(shù)
  • AON6418 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A SDMOS 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1229pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6416 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6414G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):初步 標準包裝:3,000 AON6414AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),30A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),31W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標準包裝:3,000 AON6414A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1380pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6450 AON6450L AON6450L_001 AON6452 AON6454A AON6454A_001 AON6458 AON6482 AON6484 AON6500 AON6500_001 AON6502 AON6504 AON6504_001 AON6506 AON6508 AON6508_101 AON6510
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