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AON6712

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  • AON6712
    AON6712

    AON6712

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • AOS

  • DFN 5x6

  • 09+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • AON6712
    AON6712

    AON6712

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開(kāi)13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • AOSMD

  • QFN

  • 23+

  • -
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  • AON6712
    AON6712

    AON6712

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • AOS

  • DFN5X6

  • 最新批號(hào)

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  • 1
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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱(chēng)
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON6712 技術(shù)參數(shù)
  • AON6702 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):26A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7080pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6598 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6596 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1150pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6594 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):22A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1037pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6590 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):67A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.99 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8320pF @ 20V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6758_102 AON6758_103 AON6758_104 AON6760 AON6764 AON6774 AON6780 AON6782 AON6786_001 AON6792 AON6794 AON6796 AON6810 AON6812 AON6816 AON6850 AON6884 AON6884L
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