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APT15GT120BRDQ1GMI

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    APT15GT120BRDQ1GMI

    APT15GT120BRDQ1GMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

  • -

  • 100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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APT15GT120BRDQ1GMI 技術(shù)參數(shù)
  • APT15GT120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:36A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.6V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:585μJ（開），260μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:105nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:10ns/85ns 測(cè)試條件:800V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GP90KG 功能描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:200μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:60nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:9ns/33ns 測(cè)試條件:600V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT15GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:200μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:60nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:9ns/33ns 測(cè)試條件:600V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT15GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:200μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:60nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:9ns/33ns 測(cè)試條件:600V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:56A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:130μJ（開），121μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8ns/29ns 測(cè)試條件:400V，15A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK APT1608SECK/J3-PRV APT1608SECK/J4-PRV APT1608SF4C-PRV APT1608SGC
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