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APT20M16LLLG

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  • APT20M16LLLG
    APT20M16LLLG

    APT20M16LLLG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • APT

  • TO-264

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • APT20M16LLLG
    APT20M16LLLG

    APT20M16LLLG

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • TO-264 [L]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • APT20M16LLLG
    APT20M16LLLG

    APT20M16LLLG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
APT20M16LLLG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APT20M16LLLG 技術參數
  • APT20M120JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7736pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT20M120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7736pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT20M11JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT20M11JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT20GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:43A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:174W 開關能量:215μJ（開），245μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:100nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/80ns 測試條件:400V，20A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20M38SVFRG APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S
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