APT20M20LFLLG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT20M20LFLLG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

APT20M20LFLLG
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
9600
TO-264 [L]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

APT20M20LFLLG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER FREDFET - MOS7 - Rail/Tube

APT20M20LFLLG 技術(shù)參數(shù)

APT20M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:112A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:11640pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT20M120JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7736pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7736pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M11JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:175A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M11JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:175A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B