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APT26F120LMI

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  • APT26F120LMI
    APT26F120LMI

    APT26F120LMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-264

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
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APT26F120LMI 技術(shù)參數(shù)
  • APT26F120L 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9670pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT26F120B2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9670pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 10A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 10A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):330 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J
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