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APT26GU30KG

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  • APT26GU30KG
    APT26GU30KG

    APT26GU30KG

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-220K

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • APT26GU30KG
    APT26GU30KG

    APT26GU30KG

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO-220 [K]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • APT26GU30KG
    APT26GU30KG

    APT26GU30KG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-220K

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
APT26GU30KG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
APT26GU30KG 技術(shù)參數(shù)
  • APT26F120L 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9670pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT26F120B2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9670pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J
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