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配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT28GA60BD15
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配單，只做原裝

APT28GA60BD15
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
microsemi
22+
-
行業(yè)低價，代理渠道

APT28GA60BD15
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
194
microsemi
dc10
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

APT28GA60BD15
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

APT28GA60BD15MI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

APT28GA60BD15
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
microsemi
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！！

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1

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APT28GA60BD15 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT28GA60BD15 PDF下載

功能描述
IGBT 600V 50A 222W TO247
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列
-
標準包裝
30
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
輸入類型
標準
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

APT28GA60BD15 技術(shù)參數(shù)

APT28F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:140nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5575pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 14A、 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:1 APT28F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5575pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT27ZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標準包裝:1 APT27HZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 40mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:6 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92 基本零件編號:APT27 標準包裝:1 APT27GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:48A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):79A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，14A 功率 - 最大值:223W 開關(guān)能量:413μJ（開），287μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:62nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:9ns/98ns 測試條件:600V，14A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J APT2X101DL40J APT2X101DQ100J APT2X101DQ120J APT2X101DQ60J APT2X101S20J APT2X150DL60J APT2X151DL60J