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APT28GA60BD15MI

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  • APT28GA60BD15MI
    APT28GA60BD15MI

    APT28GA60BD15MI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

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APT28GA60BD15MI 技術(shù)參數(shù)
  • APT28F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5575pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):520W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 14A、 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT28F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5575pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT27ZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 40mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):6 @ 300mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT27HZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 0.8A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 40mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):6 @ 300mA,10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 基本零件編號:APT27 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT27GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):48A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):79A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.1V @ 15V,14A 功率 - 最大值:223W 開關(guān)能量:413μJ(開),287μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:62nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:9ns/98ns 測試條件:600V,14A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J APT2X101D40J APT2X101D60J APT2X101DL40J APT2X101DQ100J APT2X101DQ120J APT2X101DQ60J APT2X101S20J APT2X150DL60J APT2X151DL60J
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