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APT30GN60BGMI

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  • APT30GN60BGMI
    APT30GN60BGMI

    APT30GN60BGMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

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  • 100%進口原裝正品,只做原裝

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APT30GN60BGMI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT30GN60BGMI 技術(shù)參數(shù)
  • APT30GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 功率 - 最大值:203W 開關(guān)能量:525μJ(開),700μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:165nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/155ns 測試條件:400V,30A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,30A 功率 - 最大值:203W 開關(guān)能量:525μJ(開),700μJ(關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:165nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/155ns 測試條件:400V,30A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):40μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.85nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,30A 電流 - 集電極截止(最大值):40μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.85nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT30F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):215nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8590pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30GT60KRG APT30M19JVFR APT30M19JVR APT30M40JVFR APT30M40JVR APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S
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