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APT30GT60BRDG

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    APT30GT60BRDG

    APT30GT60BRDG

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

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APT30GT60BRDG 技術(shù)參數(shù)
  • APT30GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:570μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/360ns 測(cè)試條件:400V，30A，9.1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 54A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):113A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.15V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:570μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:16ns/360ns 測(cè)試條件:400V，30A，9.1 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60LDLG 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì) IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測(cè)試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:67A 功率 - 最大值:245W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，30A 功率 - 最大值:463W 開關(guān)能量:260μJ（開），250μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:90nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:13ns/55ns 測(cè)試條件:400V，30A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC
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