APT30M30LLLG

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APT30M30LLLG
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-264 [L]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

APT30M30LLLG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-264L
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET TRANSISTOR

APT30M30LLLG 技術(shù)參數(shù)

APT30M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT30GT60KRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:525μJ（開），600μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:145nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/225ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:525μJ（開），600μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:145nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/225ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開關(guān)能量:80μJ（開），605μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:7.5nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/225ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK