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APT30M40BVR

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    APT30M40BVR

    APT30M40BVR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO-3P

  • 02+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
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APT30M40BVR 技術(shù)參數(shù)
  • APT30M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30M19JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:975nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GT60KRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:525μJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/225ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT30GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:525μJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:145nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/225ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 功率 - 最大值:250W 開(kāi)關(guān)能量:80μJ（開(kāi)），605μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:7.5nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/225ns 測(cè)試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK
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